DMT10H015LCG-7

想象一下，当您的电源管理系统需要在100V高压下稳定输出高达34A的峰值电流时，您是否曾为寻找一款既能承受严苛工况，又能保持高效低损耗的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前DMT10H015LCG-7，这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为突破性能瓶颈而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现能效飞跃的关键引擎。在当今追求高密度、高效率的电子设计浪潮中，选择一款合适的功率器件，往往决定了整个系统的成败。

无论是工业电机驱动中需要瞬间大电流的精准控制，还是通信电源模块里对开关损耗的极致苛求，甚至是新能源车载充电器面对的高温高振动环境，DMT10H015LCG-7都能游刃有余。其仅15毫欧的超低导通电阻，在10V驱动下就能实现，这意味着更少的热量产生，更高的能量转换效率，让您的设备运行更凉爽、更持久。宽广的-55°C至155°C结温工作范围，赋予了它无与伦比的环境适应能力，从酷寒的户外设备到高温的机箱内部，稳定性始终如一。

那么，为什么众多工程师在关键时刻都信赖这款芯片？因为它将高性能与易用性完美结合。采用先进的V-DFN3333-8表面贴装封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，更优化了散热路径。仅需4.5V的低驱动电压即可开启高效工作，大大降低了对驱动电路的要求，让系统设计变得更加简洁。当您与可靠的DIODES芯片代理合作，获取这颗芯片时，您获得的不仅是一个高品质的硬件，更是一份关于能效、可靠性和设计自由度的承诺。选择DMT10H015LCG-7，就是选择为您的下一个项目注入强劲而可靠的动力核心，让创新不再受限于功率瓶颈。

• 型号:DMT10H015LCG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:V-DFN3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.4A（Ta），34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1871 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 155°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:V-DFN3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT10H015LCG-7的官网价格：1:$1.83000|2000:$0.51567，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。