DMT10H072LFV-13

在追求极致能效的电力电子设计中，您是否曾为寻找一款既能承受高压冲击，又能保持低导通损耗的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来的DMT10H072LFV-13，正是这样一款能完美平衡性能与效率的N沟道MOSFET。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。想象一下，当您的电源模块、电机驱动或负载开关应用，因为采用了这颗芯片而获得更低的温升、更高的可靠性和更长的使用寿命时，那将为您和您的客户带来多么显著的价值提升。

这颗芯片的强大，首先体现在其卓越的电气性能上。高达100V的漏源电压（Vdss）意味着它能从容应对各种严苛的电压环境，为您的系统筑起一道坚固的安全防线。更令人惊喜的是，在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）低至惊人的62毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的整体效率。无论是用于DC-DC转换器中的同步整流，还是在电机驱动中作为高速开关，DMT10H072LFV-13都能确保能量以最小的代价通过，将更多的电能转化为有用的功，而不是令人头疼的热量。其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）进一步优化了开关性能，让高频开关操作变得快速而干净，显著降低了开关损耗和电磁干扰（EMI），让您的设计更容易通过各项严格的认证标准。

将视野投向广阔的应用天地，DMT10H072LFV-13的身影几乎无处不在。在服务器电源和通信设备电源中，它助力实现高功率密度和超高效率，满足数据中心日益增长的节能需求。在电动工具、无人机或小型电动汽车的电机驱动控制器中，它提供强劲而可靠的功率输出，确保动力响应迅捷、运行平稳。在各类消费电子产品的负载开关和保护电路中，它凭借优异的性能守护着核心电路的安全。其表面贴装的PowerDI3333-8封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，更优化了散热路径，结合-55°C至150°C的宽广工作结温范围，确保设备即使在极端环境下也能稳定运行，大大拓展了产品的应用边界和市场潜力。

那么，在众多同类产品中，为何最终选择DMT10H072LFV-13？答案在于它为您提供的综合价值远超一个简单的部件。它代表了Diodes Incorporated在功率半导体领域深厚的技术积淀和对市场需求的精准把握。选择它，就是选择了一份经过验证的可靠性、一份卓越的性能表现和一份面向未来的设计弹性。它能帮助您缩短研发周期，快速将高性能、高可靠性的产品推向市场。为了让您更便捷地获得这颗性能利器，我们推荐您通过值得信赖的DIODES中国代理进行采购，他们将为您提供从选型支持到稳定供货的全方位服务。立即将DMT10H072LFV-13纳入您的下一代设计吧，让它成为您产品无声却强大的“心脏”，驱动无限可能，赢得市场先机！

• 型号:DMT10H072LFV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.7A（Ta），20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:62 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:228 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT10H072LFV-13的官网价格：3000:$0.29491，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。