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DMT32M7LDG-7供应商
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DMT32M7LDG-7
- 制造厂商：DIODES（美台半导体）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:PowerDI3333-8（G 型）
- 技术参数：IC
- （专注销售DIODES电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
- （您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购）
DMT32M7LDG-7参数详情：
- 型号:DMT32M7LDG-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:PowerDI3333-8（G 型）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:IC
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N 沟道，共漏，共源（非对称）
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Ta），47A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.9 毫欧 @ 18A，10V，2.5 毫欧 @ 18A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 400A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32nC @ 10V，31.7nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2106pF @ 15V，2101pF @ 15V
- 功率 - 最大值:1.1W（Ta）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- 供应商器件封装:PowerDI3333-8（G 型）
- DMT32M7LDG-7的官网价格：2000:$0.51221，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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