DMT6007LFGQ-7

在追求极致能效的今天，您的电源管理系统是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一颗能在60V高压下稳定输出15A电流，同时将导通电阻压至仅6毫欧的功率MOSFET，将如何彻底改变您的设计格局？这正是DMT6007LFGQ-7为您带来的核心价值。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现高效可靠运行的动力引擎。

这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，专为应对严苛的汽车电子与工业环境而生。其卓越的4.5V低栅极驱动电压特性，让您能够轻松兼容主流控制芯片，显著简化驱动电路设计。而高达80A的脉冲电流处理能力，则赋予了系统应对瞬间负载波动的强大韧性。无论是车载DC-DC转换器、电机驱动控制，还是工业电源、电池管理系统，DMT6007LFGQ-7都能以极低的导通损耗和出色的热性能，确保系统在全温度范围（-55°C至150°C）内稳定高效运行，有效延长设备寿命并降低整体能耗。

选择DMT6007LFGQ-7，就是选择了一份经过AEC-Q101车规认证的可靠保障。它采用先进的PowerDI3333封装，在极小的占板面积内实现了高达62.5W的出色散热能力，完美解决了高功率密度设计中的热管理难题。这意味着您的产品可以做得更小巧、更紧凑，同时性能却更强劲、更可靠。当您需要稳定可靠的供货与技术支持时，专业的DIODES代理商将成为您坚实的后盾。立即将DMT6007LFGQ-7纳入您的设计，体验它如何以更低的损耗、更强的鲁棒性和更高的集成度，助您打造出领先市场一代的电源与驱动解决方案。

• 型号:DMT6007LFGQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Ta），80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2090 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta），62.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT6007LFGQ-7的官网价格：1:$1.88000|2000:$0.53242，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。