DMT67M8LCG-13

在追求极致能效的电力电子设计中，您是否曾为寻找一款既能承受高功率又能保持低温升的MOSFET而烦恼？想象一下，当您的电源转换器、电机驱动器或负载开关需要处理高达60V电压和64.6A电流时，传统的解决方案往往伴随着巨大的导通损耗和散热挑战，这不仅降低了系统效率，更增加了设计的复杂性与成本。今天，这一切都将被重新定义DMT67M8LCG-13的到来，正是为了终结这种妥协。

这颗来自Diodes Incorporated的N沟道功率MOSFET，绝不仅仅是一颗普通的开关器件。它采用先进的MOSFET技术，在仅4.5V的低驱动电压下就能实现优异的导通性能，其导通电阻低至惊人的5.7毫欧（在20A，10V条件下）。这意味着在您的大电流应用场景中，无论是服务器电源的同步整流，还是电动工具中电机的PWM控制，亦或是汽车电子中的LED驱动与电池管理，DMT67M8LCG-13都能将导通损耗降至最低，让宝贵的电能更多地转化为有效输出，而非令人头疼的热量。其高达64.6A（Tc）的连续漏极电流能力，配合V-DFN3333-8紧凑型封装，为您在有限空间内实现高功率密度设计提供了坚实保障。

选择DMT67M8LCG-13，就是选择了一份从容与高效。它极低的栅极电荷（Qg最大值37.5nC）和输入电容，显著降低了开关损耗，让您的系统即使在数百kHz的开关频率下也能游刃有余，轻松提升整体能效。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C结温）确保了其在严苛环境下的可靠性与长寿命。当您致力于打造下一代高性能、高可靠性的电子产品时，这颗芯片就是您电路中的“效能心脏”。我们强烈建议您通过正规的DIODES授权代理渠道进行采购，以确保获得原装正品、完整的技术支持与稳定的供货保障，让您的创新之旅毫无后顾之忧。

• 型号:DMT67M8LCG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:V-DFN3333-8（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Ta），64.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2130 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:V-DFN3333-8（B 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT67M8LCG-13的官网价格：3000:$0.56980，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。