DMT69M8LSS-13

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和空间占用而妥协？让我们为您带来一个颠覆性的答案：DMT69M8LSS-13。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其卓越的性能参数，正在重新定义中功率应用的效率标准。它不仅仅是一个开关，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键引擎。

想象一下，在您的电机驱动、DC-DC转换器或负载开关中，一个器件需要同时承担高达9.8A的连续电流和60V的电压应力。DMT69M8LSS-13正是为此而生。其低至12毫欧的导通电阻（Rds(on)），在10V驱动下实测，意味着在导通状态下的功率损耗被降至极低，更多的电能被高效地输送给负载，而非转化为无谓的热量。这直接转化为更长的设备运行时间、更小的散热器需求，甚至可能让您重新审视整个产品的热设计，实现更轻薄、更紧凑的工业设计。无论是自动化设备中的伺服驱动，还是通信设备里的电源模块，它都能游刃有余，确保系统在-55°C至150°C的严苛温度范围内稳定运行。

选择DMT69M8LSS-13，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与卓越性能的融合。其优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）特性，使得开关速度更快，开关损耗进一步降低，这对于高频开关应用至关重要，能显著提升整体电源系统的转换效率。表面贴装的8-SO封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，也完全适配现代自动化生产线，大幅降低您的组装成本。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的设计和广泛的应用验证使其成为特定存量项目或对长期可靠性有极致要求场景的经典之选。为确保您能获得稳定可靠的货源与专业的技术支持，我们强烈推荐您通过官方授权的DIODES一级代理进行采购，他们不仅能提供正品保障，还能为您匹配最合适的备选或升级方案，让您的供应链高枕无忧。

归根结底，在激烈的市场竞争中，细节决定成败。一颗高效的MOSFET，可能就是您的产品在能效、体积和可靠性上脱颖而出的制胜法宝。DMT69M8LSS-13以其扎实的参数和久经考验的品质，静候您的调用，助力您的下一个设计迈向新的高度。

• 型号:DMT69M8LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 9.8A 8SO T\\u0026R 2
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1925 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.25W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMT69M8LSS-13的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。