DMT8012LSS-13

在追求极致能效的电力电子设计中，您是否还在为开关损耗和热管理问题而烦恼？想象一下，一款能够在80V电压下稳定输出近10A电流，同时将导通电阻控制在极低水平的功率MOSFET，将如何彻底改变您的电源转换和电机驱动方案？这正是DMT8012LSS-13为您带来的核心价值。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、降低系统复杂度的关键引擎。

这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，凭借其卓越的电气特性，在众多严苛的应用场景中游刃有余。无论是汽车电子中的LED驱动、电动座椅调节，还是工业自动化中的电机控制、电源开关，甚至是消费类电子产品的快速充电管理，它都能提供高效、可靠的功率开关解决方案。其高达150°C的结温工作范围，确保了在高温环境下依然稳定运行，让您的产品无惧挑战。当您需要稳定可靠的供货和技术支持时，请务必通过官方DIODES授权代理进行采购，这是保障产品正宗与供应链安全的最佳途径。

选择DMT8012LSS-13，意味着您选择了一种更高效的设计哲学。其低至16.5毫欧的导通电阻，直接转化为更低的传导损耗和更少的热量产生，这不仅提升了整体能效，也简化了散热设计，让您的产品更紧凑、更可靠。同时，优化的栅极电荷特性确保了快速的开关速度，进一步降低了开关损耗，特别适合高频开关应用。从原型设计到量产，这颗通过AEC-Q101认证的车规级芯片，为您提供了从性能到可靠性的全方位保障，是推动您下一代产品迈向更高标准的强大动力。

• 型号:DMT8012LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 9.7A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16.5 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1949 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMT8012LSS-13的官网价格：1:$1.52000|2500:$0.40580，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。