DIODES（美台半导体）产品型号搜索
当前位置：DIODES代理商 >> DIODES公司产品型号 - DMTH43M7LFGQ-7-A
DMTH43M7LFGQ-7-A供应商
产品参考图片
DMTH43M7LFGQ-7-A
- 制造厂商：DIODES（美台半导体）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:POWERDI3333-8
- 技术参数：MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
- （专注销售DIODES电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
- （您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购）
DMTH43M7LFGQ-7-A参数详情：
- 型号:DMTH43M7LFGQ-7-A
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:POWERDI3333-8
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2182 pF @ 20 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:3.5W（Ta），65.2W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:POWERDI3333-8
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- DMTH43M7LFGQ-7-A的官网价格：2000:$0.60214，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
DIODES公司产品现货专家，订购DIODES公司产品不限最低起订量，DIODES产品大陆现货即时发货，香港库存3-5天发货，海外库存7-10天发货
寻找全球DIODES代理商现货货源 - DIODES公司（美台半导体）电子元件在线订购