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FMMT5179TC供应商
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FMMT5179TC
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管,封装:SOT-23-3
- 技术参数:RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT-23-3
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
FMMT5179TC参数详情:
在追求极致信号完整性的射频世界里,您是否还在为高频应用中的微小噪声和信号衰减而烦恼?想象一下,一个关键的无线连接节点,因为晶体管性能的细微不足,导致整个系统的灵敏度下降这绝不是危言耸听。今天,我们为您带来一个能够彻底改变这一局面的解决方案:FMMT5179TC。这颗来自Diodes Incorporated的射频晶体管,以其高达2GHz的跃迁频率和仅为4.5dB的卓越噪声系数,为您的高频电路注入前所未有的清晰与稳定。它不仅仅是一个元件,更是您产品在激烈市场竞争中保持领先性能的秘密武器。
无论是智能手机中至关重要的射频前端模块,还是物联网设备中负责稳定通信的无线收发器,甚至是测试测量设备中对信号纯度要求极高的本地振荡器,FMMT5179TC都能游刃有余,扮演着信号放大与整形的核心角色。它的NPN结构在12V的集射极电压下稳定工作,最大50mA的集电极电流足以应对多种低功耗射频场景。在-55°C到150°C的宽温范围内,其性能始终如一,这意味着您的设备无论身处严寒还是酷热,都能保持可靠的连接与通信。选择它,就是为您的产品选择了一份全天候的性能保障。
那么,为什么顶尖的设计师纷纷将目光投向这颗芯片?答案在于它无可比拟的价值组合。高达15dB的增益意味着微弱的信号能被有效放大,而低噪声特性确保了信号在放大过程中不被杂质污染,这对于提升接收灵敏度和通信距离至关重要。其经典的SOT-23-3封装,兼顾了微型化与优异的散热能力,330mW的最大功耗设计让它在紧凑的空间内也能高效运行。当您需要为项目寻找可靠且高性能的射频解决方案时,通过专业的DIODES代理商获取FMMT5179TC,无疑是通往成功最稳健的路径。它代表了一种承诺:用更少的妥协,实现更卓越的射频性能,让您的创意在电波中完美绽放。
- 型号:FMMT5179TC
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-23-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管
- 描述:RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT-23-3
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 晶体管类型:NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):12V
- 频率 - 跃迁:2GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):4.5dB @ 200MHz
- 增益:15dB
- 功率 - 最大值:330mW
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):25 @ 3mA,1V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50mA
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:SOT-23-3
- FMMT5179TC的官网价格:10000:$0.12752,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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