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MBR20150SCT-E1供应商
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MBR20150SCT-E1
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列,封装:TO-220-3
- 技术参数:DIODE ARR SCHOT 150V 10A TO2203
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
MBR20150SCT-E1参数详情:
在追求极致效率的电源设计中,您是否还在为整流环节的能量损耗而烦恼?当传统二极管带来高达1V以上的正向压降时,意味着每10A电流就会产生超过10W的无谓热损耗,这不仅降低了系统整体效率,更对散热设计提出了严峻挑战。现在,让我们向您介绍一款能够彻底改变这一局面的高效解决方案MBR20150SCT-E1。这款来自Diodes Incorporated的150V/10A肖特基整流器,以其革命性的低正向压降特性,将整流损耗大幅降低,让您的电源设计轻装上阵,释放更多性能潜力。
想象一下,在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源(UPS)或高功率LED照明驱动器中,整流桥或续流二极管的位置正是能量转换的关键节点。在这里,DIODES代理所推广的MBR20150SCT-E1能够大显身手。它采用先进的肖特基技术,在10A满载电流下,正向压降仅为900mV,相比普通快恢复二极管,其导通损耗可降低30%以上。这意味着更低的温升、更小的散热器尺寸,以及最终更紧凑、更可靠的整机设计。其150V的高反向耐压,为开关电源中的高频续流和整流应用提供了充足的安全裕度,确保系统在复杂工况下的稳定运行。
选择MBR20150SCT-E1,就是选择了一种面向高效未来的设计哲学。它不仅仅是一个元件,更是提升产品竞争力的关键。其快速恢复特性(<500ns)有效减少了开关损耗,特别适用于高频开关电源拓扑。TO-220-3的标准封装,兼顾了优异的散热能力和便捷的安装工艺,极大简化了您的生产流程。虽然该型号已进入停产状态,但其成熟的设计、卓越的性能和广泛的市场验证,使其成为许多经典和现有项目升级换代的理想选择。用它来替换老旧的整流方案,您将立刻体验到效率提升带来的直接效益更长的设备寿命、更低的运营成本,以及更出色的市场口碑。
- 型号:MBR20150SCT-E1
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:TO-220-3
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
- 描述:DIODE ARR SCHOT 150V 10A TO2203
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 二极管配置:1 对共阴极
- 技术:肖特基
- 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V
- 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):10A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 A
- 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
- 反向恢复时间 (trr):-
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 A @ 150 V
- 工作温度 - 结:150°C(最大)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220-3
- MBR20150SCT-E1的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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