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MMBZ5226B-7供应商
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MMBZ5226B-7
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管,封装:SOT-23-3
- 技术参数:DIODE ZENER 3.3V 350MW SOT23-3
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
MMBZ5226B-7参数详情:
在追求极致稳定性的电子设计中,您是否曾为电压波动带来的系统风险而困扰?当精密电路需要一个可靠的电压基准或保护屏障时,MMBZ5226B-7正是您值得信赖的解决方案。这款来自Diodes Incorporated的3.3V齐纳二极管,以其±5%的精准容差和高达350mW的功率处理能力,为您的设计注入一剂强心针。它不仅仅是一个元件,更是系统稳定运行的守护者,能在-65°C至150°C的严苛温度范围内保持性能如一,确保您的产品在各种环境下都能从容应对。
想象一下,在便携式消费电子、物联网传感器节点或精密的电源管理模块中,一颗微小的电压基准或瞬态电压抑制器如何成为决定成败的关键。MMBZ5226B-7凭借其紧凑的SOT-23-3封装和表面贴装特性,完美适应高密度PCB布局,为空间受限的现代设备提供高效的电压箝位和稳压功能。无论是保护敏感的MCU输入端口免受浪涌冲击,还是在低功耗电路中建立一个稳定的参考电压点,它都能以极低的反向泄漏电流(仅25A @ 1V)和仅28欧姆的最大动态阻抗,实现高效而精准的能量管理,让您的设计在性能和可靠性上脱颖而出。
选择MMBZ5226B-7,意味着您选择了一个经过市场验证的成熟解决方案。尽管其零件状态标注为停产,但这恰恰证明了其经典的设计和广泛的适用性,在大量现有设计和备件需求中依然占据重要地位。其900mV @ 10mA的正向压降特性,也确保了在需要时的低损耗导通。为了确保您能获得稳定可靠的货源与专业的技术支持,我们强烈推荐您通过官方授权的DIODES一级代理进行采购。这不仅是获得正品品质的保障,更能让您在产品生命周期管理和供应链稳定性上高枕无忧,将全部精力专注于核心创新与市场开拓。
- 型号:MMBZ5226B-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-23-3
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- 描述:DIODE ZENER 3.3V 350MW SOT23-3
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V
- 容差:±5%
- 功率 - 最大值:350 mW
- 阻抗(最大值)(Zzt):28 Ohms
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25 A @ 1 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
- 工作温度:-65°C ~ 150°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:SOT-23-3
- MMBZ5226B-7的官网价格:30000:$0.05353,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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