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MMBZ5229B-7-F供应商
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MMBZ5229B-7-F
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管,封装:SOT-23-3
- 技术参数:DIODE ZENER 4.3V 350MW SOT23-3
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
MMBZ5229B-7-F参数详情:
在追求极致稳定性的电子设计中,您是否曾为电压波动带来的系统风险而困扰?当精密电路需要一个可靠的电压基准或保护屏障时,MMBZ5229B-7-F齐纳二极管就是您值得信赖的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的明星产品,以其精准的4.3V齐纳电压和±5%的严格容差,为您的设计注入了一剂强心针。它不仅仅是一个元件,更是系统稳定运行的守护者,确保关键节点电压始终如一,让您的产品在复杂多变的工作环境中展现出卓越的可靠性。
想象一下,在便携式设备的电源管理模块中,它默默提供着精准的电压箝位,保护敏感的微处理器免受浪涌冲击;在通信接口的ESD保护电路中,它迅速响应,将异常电压导入大地,确保数据畅通无阻;在汽车电子苛刻的-65°C至150°C宽温环境下,它依然稳定工作,为车身控制模块或传感器提供可靠的参考电压。无论是消费电子、工业控制还是汽车应用,这颗采用紧凑SOT-23-3封装的二极管,都能以微小的身躯,承担起保障系统核心安全的重任。选择它,就是为您的产品选择了一份从容应对电压挑战的底气。
那么,为何众多工程师在需要4.3V左右电压基准或保护时,会优先考虑MMBZ5229B-7-F?答案在于其卓越的综合性能与价值。350mW的功率处理能力,配合仅22欧姆的低动态阻抗,意味着它在提供稳定电压的同时,自身功耗和压降变化极小,效率更高。其低至5A的反向泄漏电流,显著降低了待机功耗,对于电池供电设备而言尤为珍贵。从原型设计到量产,选择一颗性能稳定、供货可靠的元件至关重要。通过值得信赖的DIODES授权代理进行采购,您不仅能获得正品保障和完整的技术支持,还能确保供应链的顺畅与稳定,让您的项目从设计到落地全程无忧。让MMBZ5229B-7-F成为您下一个成功设计的坚实基石吧!
- 型号:MMBZ5229B-7-F
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-23-3
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- 描述:DIODE ZENER 4.3V 350MW SOT23-3
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.3 V
- 容差:±5%
- 功率 - 最大值:350 mW
- 阻抗(最大值)(Zzt):22 Ohms
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 A @ 1 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
- 工作温度:-65°C ~ 150°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:SOT-23-3
- MMBZ5229B-7-F的官网价格:1:$0.15000|3000:$0.03015,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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