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MMBZ5239BTS-7-F

  • 制造厂商:DIODES(美台半导体)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 齐纳二极管阵列,封装:SOT-363
  • 技术参数:DIODE ZENER ARRAY 9.1V SOT-363
  • (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

MMBZ5239BTS-7-F参数详情:

在追求极致稳定性的电路设计中,您是否曾为多个关键节点的电压保护而烦恼?既要确保精准的钳位,又要节省宝贵的PCB空间,这似乎总是一个两难的选择。现在,让我们向您隆重介绍一个优雅的解决方案MMBZ5239BTS-7-F。这款来自Diodes Incorporated的精密齐纳二极管阵列,正是为应对此类挑战而生,它将三个独立的9.1V稳压单元集成于微小的SOT-363封装之内,以卓越的集成度与可靠性,为您的设计注入前所未有的安心与高效。

想象一下,在您的便携式消费电子设备中,微处理器、传感器和通信模块的I/O端口都需要可靠的过压保护。MMBZ5239BTS-7-F能够轻松胜任,其±5%的精密容差确保了9.1V钳位电压的高度一致性,让每一路信号都处在安全区。在严苛的工业自动化环境中,从-65°C到150°C的宽广工作温度范围,意味着无论设备身处冰窖还是熔炉旁,它都能稳定如初,默默守护着控制系统的核心电路。而对于空间寸土寸金的物联网模块或可穿戴设备,其表面贴装的超紧凑设计,让您在实现三重保护的同时,几乎不占用额外布局面积,完美诠释了“小身材,大能量”。

选择MMBZ5239BTS-7-F,就是选择了一份省心与高效。它不仅仅是一个元件,更是一个系统级的保护策略。高达200mW的功率处理能力和仅10欧姆的低动态阻抗,意味着它能迅速吸收瞬态能量,将电压牢牢锁定,有效防止敏感器件受损。其极低的反向泄漏电流(仅3A @ 7V)和正向压降(900mV @ 10mA),最大限度地减少了功耗损失,特别适合电池供电的长期运行场景。这意味着更长的设备续航和更低的系统发热。当您需要为项目寻找稳定、可靠且高性价比的保护方案时,与专业的DIODES芯片代理合作,获取正品MMBZ5239BTS-7-F及全面的技术支持,无疑是加速产品上市、提升市场竞争力的明智之举。让这颗集精密、坚固与紧凑于一身的芯片,成为您下一代产品设计中不可或缺的“安全卫士”。

  • 型号:MMBZ5239BTS-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-363
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 齐纳二极管阵列
  • 描述:DIODE ZENER ARRAY 9.1V SOT-363
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 配置:3 个独立式
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1 V
  • 容差:±5%
  • 功率 - 最大值:200 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 A @ 7 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装:SOT-363
  • MMBZ5239BTS-7-F的官网价格:3000:$0.13663,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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