




MMSZ5255BQ-7-F
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管,封装:SOD-123
- 技术参数:DIODE ZENER 28V 370MW SOD123
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
MMSZ5255BQ-7-F参数详情:
在追求极致稳定与可靠性的电子设计中,您是否曾为电压波动带来的系统风险而困扰?当关键电路需要一个坚如磐石的电压基准或保护屏障时,一颗性能卓越的齐纳二极管就是您最值得信赖的伙伴。今天,我们向您隆重推荐来自Diodes Incorporated的明星产品MMSZ5255BQ-7-F,它不仅仅是一个元件,更是您系统稳定运行的守护神。
想象一下,在您的电源管理模块、精密传感器接口或通信端口中,这颗28V的齐纳二极管正默默发挥着关键作用。它凭借±5%的精密容差,为您提供高度准确的电压箝位,确保后级敏感电路免受浪涌或过压的侵害。其低至44欧姆的动态阻抗,意味着即使在电流变化时,也能维持电压的稳定,让您的信号更纯净,系统表现更一致。从-65°C到150°C的宽广工作温度范围,让它无惧严苛环境挑战,无论是工业自动化设备还是汽车电子应用,都能稳定服役。
这颗芯片的价值,在多样的应用场景中熠熠生辉。在便携式设备的电源路径中,它能有效防止因充电器插拔或负载突变产生的电压尖峰。在数据采集系统的ADC参考电压端,它提供了可靠的基准源。在高速通信接口如USB或CAN总线上,它又是不可或缺的ESD保护和电压箝位卫士。选择MMSZ5255BQ-7-F,就是为您的产品选择了一份贯穿始终的安心与品质保障。
为何它能在众多选择中脱颖而出?答案在于其卓越的综合性能与Diodes一贯的高品质标准。370mW的功率处理能力,在紧凑的SOD-123封装内实现了出色的能效比。极低的反向泄漏电流(仅100nA @ 21V)和正向压降(900mV @ 10mA),最大限度地减少了功率损耗和热管理压力,让您的设计更高效、更节能。选择它,意味着您选择了一个经过市场验证的解决方案,能够显著提升产品的可靠性和市场竞争力。为确保您获得原装正品与完善的技术支持,我们强烈建议您通过官方DIODES授权代理进行采购,这将是您项目成功的重要一环。
- 型号:MMSZ5255BQ-7-F
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOD-123
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- 描述:DIODE ZENER 28V 370MW SOD123
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):28 V
- 容差:±5%
- 功率 - 最大值:370 mW
- 阻抗(最大值)(Zzt):44 Ohms
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 21 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:SOD-123
- 供应商器件封装:SOD-123
- MMSZ5255BQ-7-F的官网价格:1:$0.21000|3000:$0.04127,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















