DMN10H099SFG-7

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能在100V电压下稳定工作，导通电阻低至80毫欧的N沟道MOSFET，将如何彻底改变您的设计格局？答案就在DMN10H099SFG-7。这颗来自Diodes Incorporated的功率器件，以其卓越的性能参数，正成为工程师手中提升系统效率、缩小产品体积的利器。

当您将它部署在DC-DC转换器或电机驱动电路中，其高达4.2A的连续漏极电流承载能力和优异的开关特性立刻显现价值。极低的栅极电荷（Qg）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统响应迅如闪电，同时将宝贵的电能更多地用于负载，而非消耗在开关过程中。无论是紧凑的适配器、高效的LED照明驱动，还是需要精密控制的便携式设备，DMN10H099SFG-7都能游刃有余，其宽广的-55°C至150°C工作结温范围，更是确保了在严苛环境下依然稳定可靠，让您的产品无惧挑战。

选择它，不仅仅是选择了一颗高性能MOSFET，更是选择了一种面向未来的设计哲学。PowerDI3333-8的超紧凑封装，在提供高达980mW散热能力的同时，极大节省了PCB空间，助力您实现更轻薄、更集成的产品设计。其优化的Vgs(th)阈值电压与驱动电压配合，让电路设计更加简便高效。如果您正在寻找一个能同时兼顾性能、可靠性与成本的解决方案，那么DMN10H099SFG-7无疑是您的理想之选。为确保您能获得稳定可靠的货源与专业的技术支持，我们强烈推荐您通过官方授权的DIODES一级代理进行采购，这将是您项目成功的有力保障。

• 型号:DMN10H099SFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 3.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1172 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:980mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN10H099SFG-7的官网价格：1:$1.13000|2000:$0.29468，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。