




PD3Z284C11-7
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管,封装:PowerDI 323
- 技术参数:DIODE ZENER 11V 500MW POWERDI323
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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PD3Z284C11-7参数详情:
在追求极致稳定性的电子设计中,您是否曾为电压波动带来的系统风险而困扰?当精密电路需要一个可靠的电压基准或保护屏障时,PD3Z284C11-7齐纳二极管就是您值得信赖的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的精密元件,以其11V的精准稳压能力和±5%的严格容差,为您的产品注入坚如磐石的可靠性。它不仅仅是一个简单的二极管,更是您电路中的“电压卫士”,时刻守护着关键节点的电位稳定,确保信号纯净,功能持久。
想象一下,在您的便携式设备、消费类电子产品或工业控制模块中,PD3Z284C11-7正默默发挥着核心作用。它能够高效地作为电压钳位器,吸收意外的电压尖峰,保护下游敏感的IC免受损坏;也可以作为简单的电压基准源,为ADC或比较器提供稳定的参考。其高达500mW的功率处理能力和仅10欧姆的最大动态阻抗,意味着它在提供稳定保护的同时,自身功耗极低,对系统能效的影响微乎其微。从-65°C到150°C的宽广工作温度范围,让它无惧严寒酷暑,无论是户外设备还是高温机箱内部,都能稳定如一,大大提升了您产品的环境适应性和耐用性。
选择PD3Z284C11-7,就是选择了一份经过市场验证的卓越品质与性能。Diodes Incorporated的先进制造工艺确保了每一颗芯片都具备高度的一致性。其采用表面贴装的PowerDI 323封装,不仅体积小巧,节省宝贵的PCB空间,还拥有出色的散热性能,让500mW的功率能力得以充分发挥。极低的反向泄漏电流(100nA @ 8V)和正向压降(1.1V @ 100mA),进一步优化了系统的整体效率。当您需要为项目寻找一个可靠、高效且具成本效益的稳压或保护方案时,这颗芯片无疑是您的理想之选。如需获取样品或进行批量采购,欢迎联系我们的DIODES中国代理,我们将为您提供专业的技术支持和便捷的供应链服务,助您的创意更快地转化为成功的产品。
- 型号:PD3Z284C11-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:PowerDI 323
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- 描述:DIODE ZENER 11V 500MW POWERDI323
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):11 V
- 容差:±5%
- 功率 - 最大值:500 mW
- 阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 100 mA
- 工作温度:-65°C ~ 150°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:PowerDI 323
- 供应商器件封装:PowerDI 323
- PD3Z284C11-7的官网价格:1:$0.74000|3000:$0.17116,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















