SBR12M120P5-13D

在追求极致能效的今天，您的电源设计是否还在为整流器件的正向压降和开关损耗而妥协？当传统肖特基二极管在高压下漏电流激增，而超快恢复二极管又带来难以承受的开关损耗时，您需要的是一种更智慧的解决方案。现在，答案已经揭晓SBR12M120P5-13D超级势垒整流器，正是为打破这一性能瓶颈而生。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或新能源车载充电器中，每一瓦的损耗都意味着成本的增加和系统可靠性的挑战。SBR12M120P5-13D凭借其创新的超级势垒技术，在120V的高压下，仅需830mV的超低正向压降（@12A）即可驱动12A的电流，这直接将导通损耗降至新低。更令人惊喜的是，其标准恢复特性避免了超快恢复二极管常见的电压过冲和电磁干扰（EMI）问题，让您的系统在高效运行的同时，保持前所未有的洁净与稳定。这意味着，您不仅能获得更高的整体能效，还能简化散热设计和EMI滤波电路，从而节省宝贵的空间与物料成本。

无论是面对通信基础设施严苛的24/7不间断运行要求，还是消费类快充产品对紧凑尺寸和低温升的极致追求，这颗芯片都能游刃有余。其表面贴装的PowerDI 5封装，不仅提供了优异的散热性能，还极大地节省了PCB板面积，让高功率密度设计成为可能。当您选择SBR12M120P5-13D，您选择的不仅仅是一个元器件，更是一套提升产品竞争力、加速上市周期的完整价值方案。我们作为值得信赖的DIODES中国代理，随时准备为您提供从选型支持到供应链保障的全方位服务，助您将创新的电源设计快速转化为市场领先的产品。

• 型号:SBR12M120P5-13D
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI 5
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SBR 120V 12A POWERDI5
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:超级势垒
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:120 V
• 电流 - 平均整流 (Io):12A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):830 mV @ 12 A
• 速度:标准恢复 \>500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 A @ 120 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:PowerDI 5
• 供应商器件封装:PowerDI 5
• 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C
• SBR12M120P5-13D的官网价格：5000:$0.33880，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。