




SBR2U10LP-13
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管,封装:X1-DFN1411-3
- 技术参数:DIODE SBR 10V 2A X1DFN14113
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
SBR2U10LP-13参数详情:
在追求极致能效的电子设计中,您是否曾为整流二极管的功耗损失和发热问题而困扰?当传统肖特基二极管在高温下性能急剧下降时,整个系统的可靠性和续航能力都将面临严峻挑战。今天,我们为您带来一个颠覆性的解决方案SBR2U10LP-13,它将彻底改变您对高效整流的认知。
想象一下,在紧凑的便携式设备内部,每一毫瓦的功耗都至关重要。SBR2U10LP-13凭借其创新的超级势垒整流器(SBR)技术,在2A的额定电流下,正向压降仅为惊人的460mV。这意味着在相同的负载条件下,它能比传统方案显著减少能量损耗,将更多宝贵的电能输送给核心电路,而不是白白转化为热量。其快速恢复特性(≤500ns)和仅60ns的反向恢复时间,确保了在高频开关电源等应用中,开关损耗被降至最低,系统整体效率得以大幅提升。
这款芯片的应用场景极为广泛,尤其适合那些对空间和能效都极为苛刻的领域。无论是需要长时间续航的蓝牙耳机、智能手表等可穿戴设备,还是主板上的DC-DC转换器、极性保护电路,甚至是汽车电子中的低功耗模块,SBR2U10LP-13都能游刃有余。其3-UDFN的超紧凑封装,面积仅为1.4mm x 1.1mm,为您的PCB布局提供了前所未有的灵活性,让您在方寸之间实现高性能设计。选择它,就是选择为您的产品注入一颗高效、冷静的“心脏”。
为何众多领先企业都将SBR2U10LP-13作为首选?答案在于其无可比拟的综合价值。它不仅解决了效率问题,其10V的反向击穿电压和低至2mA的反向漏电流(@10V),也提供了出色的可靠性和稳定性。尽管该型号已处于停产状态,但其卓越的性能指标和经过市场验证的可靠性,使其在特定高端或长生命周期项目中依然具有不可替代的价值。为确保您获得正品保障与稳定的供货支持,我们强烈建议您通过正规的DIODES授权代理进行采购。立即采用SBR2U10LP-13,迈出打造下一代高效、紧凑电子产品的关键一步。
- 型号:SBR2U10LP-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:X1-DFN1411-3
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
- 描述:DIODE SBR 10V 2A X1DFN14113
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 技术:超级势垒
- 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):10 V
- 电流 - 平均整流 (Io):2A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):460 mV @ 2 A
- 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
- 反向恢复时间 (trr):60 ns
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 mA @ 10 V
- 不同Vr、F 时电容:102pF @ 5V,1MHz
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:3-UDFN
- 供应商器件封装:X1-DFN1411-3
- 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C
- SBR2U10LP-13的官网价格:3000:$0.16102,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















