SBR660CTL-13

在追求极致能效的今天，您的电源设计是否还在为整流环节的损耗和发热问题所困扰？想象一下，如果有一种解决方案，能将正向压降带来的能量损失大幅降低，让您的系统运行得更凉爽、更持久，这将是多大的价值提升？现在，这一切已成为现实。我们隆重向您介绍SBR660CTL-13，一款基于革命性超级势垒整流器（SBR）技术的双二极管阵列，它正是为破解这一难题而生。

这款芯片的核心魅力，在于其令人惊叹的低正向压降特性。在高达3A的电流下，其正向压降仅为570mV，远低于传统肖特基二极管。这意味着在相同的负载条件下，SBR660CTL-13能够显著减少导通损耗，将更多电能高效地输送给负载，而非转化为无用的热量。无论是服务器电源、工业电机驱动，还是高密度LED照明和车载充电器，这颗芯片都能成为提升整体效率、降低散热需求的秘密武器。其快速恢复特性（≤500ns）确保了在开关电源等高频应用中也能稳定、高效地工作，避免因反向恢复带来的额外损耗和噪声干扰。

选择SBR660CTL-13，就是选择为您的产品注入更强的市场竞争力。它不仅拥有60V的反向耐压和3A的强劲电流能力，其宽泛的结温工作范围（-65°C至150°C）和TO-252（DPak）的经典封装，更赋予了设计无与伦比的可靠性与易用性。这颗芯片的共阴极阵列配置，尤其适合需要同步整流或作为续流二极管的桥式电路，能够帮助您简化PCB布局，节省宝贵空间。当您需要可靠、高性能的整流解决方案时，联系专业的DIODES代理商，获取关于SBR660CTL-13的详细技术支持与供应保障，无疑是迈向成功设计的关键一步。让SBR660CTL-13成为您下一款明星产品的效率引擎，开启能效新纪元。

• 型号:SBR660CTL-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
• 描述:DIODE ARRAY SBR 60V 3A TO-252-3
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 二极管配置:1 对共阴极
• 技术:超级势垒
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:60 V
• 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:3A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):570 mV @ 3 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 A @ 60 V
• 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:TO-252-3
• SBR660CTL-13的官网价格：1:$1.49000|2500:$0.39572，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。