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SBR8E20P5-13D

  • 制造厂商:DIODES(美台半导体)
  • 类别封装:二极管 - 整流器 - 单,封装:PowerDI 5
  • 技术参数:DIODE SBR 20V 8A POWERDI5
  • (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

SBR8E20P5-13D参数详情:

在追求极致能效的今天,您的电源设计是否还在为传统肖特基二极管的正向压降损耗而烦恼?想象一下,如果有一种解决方案,能在8A的大电流下,将正向压降显著降低至仅450mV,这能为您的系统节省多少宝贵的能量,带来多显著的性能提升?这正是SBR8E20P5-13D超级势垒整流器(SBR)为您带来的核心价值。它不仅仅是一个二极管,更是通向更高效率、更紧凑设计的钥匙。

这颗芯片天生就是为高效率应用而生的。无论是服务器和数据中心里严苛的电源模块,还是电动汽车充电桩中要求高效电能转换的单元,亦或是工业自动化设备里需要稳定可靠供电的控制板,SBR8E20P5-13D都能大显身手。其20V的反向耐压和8A的平均整流电流能力,让它轻松应对各种中低压、大电流的整流与续流场景。更低的Vf意味着更少的热量产生,这不仅提升了系统整体效率,也简化了散热设计,让您的产品在激烈的市场竞争中,凭借更长的续航、更低的运行温度或更小的体积脱颖而出。

选择SBR8E20P5-13D,就是选择了一种经过验证的可靠技术路径。Diodes Incorporated的超级势垒技术,完美融合了低正向压降和快速恢复特性的优势,相比传统肖特基二极管,它在高温下的性能表现更为稳定,反向漏电流控制出色(仅500A @ 20V)。其采用先进的PowerDI5封装,在提供强大功率处理能力的同时,保持了极小的占板面积,非常适合空间受限的现代电子设备。当您致力于打造下一代高效能产品时,与可靠的DIODES代理合作,获取如SBR8E20P5-13D这样的优质元器件,无疑是确保供应链稳定和产品性能卓越的明智之举。让它成为您设计中的效率引擎,驱动创新,赢得未来。

  • 制造商产品型号:SBR8E20P5-13D
  • 制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
  • 描述:DIODE SBR 20V 8A POWERDI5
  • 系列:二极管 - 整流器 - 单
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • 二极管类型:超级势垒
  • 电压-DC反向(Vr)(最大值):20V
  • 电流-平均整流(Io):8A
  • 不同If时电压-正向(Vf):450mV @ 8A
  • 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr):-
  • 不同Vr时电流-反向泄漏:500A @ 20V
  • 不同Vr、F时电容:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:PowerDI 5
  • 供应商器件封装:PowerDI 5
  • SBR8E20P5-13D的官网价格:1.90665,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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