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ZTD09N50DE6QTA供应商
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ZTD09N50DE6QTA
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列,封装:SOT-26
- 技术参数:TRANS 2NPN DUAL 50V 1A SOT-26
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
ZTD09N50DE6QTA参数详情:
在追求极致能效与紧凑设计的今天,您的下一个开关电源或电机驱动方案,是否还在为分立器件的布局空间和匹配一致性而烦恼?想象一下,一颗集成了双路高性能NPN晶体管的微型芯片,不仅能节省宝贵的PCB面积,更能显著提升系统的整体可靠性与生产效率。这正是ZTD09N50DE6QTA为您带来的核心价值。它不仅仅是一个晶体管阵列,更是您实现设计简化、性能跃升的得力助手。
无论是需要精密信号切换的通信模块,还是要求强劲驱动能力的智能家居电机控制,或是高效率DC-DC转换器中的同步整流与驱动电路,ZTD09N50DE6QTA都能游刃有余。其50V的耐压与1A的连续电流能力,为各种低压应用提供了充裕的安全余量;高达215MHz的过渡频率,确保了在开关与放大应用中的快速响应,减少开关损耗,提升整体能效。在-55°C至150°C的宽温范围内稳定工作,让它无惧严苛环境挑战,从消费电子到工业控制,都能展现卓越的适应性。
选择ZTD09N50DE6QTA,意味着您选择了一种更高效的设计哲学。其SOT-23-6的超小封装,极大简化了布局布线,降低了寄生参数的影响,让您的产品设计更紧凑、更优雅。双晶体管高度匹配的特性,省去了繁琐的配对筛选过程,直接保障了电路性能的一致性,加速您的产品上市周期。更低的Vce饱和压降(仅270mV)意味着更小的导通损耗,更高的直流电流增益(最小200)则提供了出色的驱动效率,这一切都直接转化为您终端产品的续航优势与成本竞争力。当您寻求可靠且高性能的半导体解决方案时,通过专业的DIODES代理获取这颗芯片,无疑是确保供应链稳定与技术支持到位的明智之举。让ZTD09N50DE6QTA成为您创新蓝图中的关键一环,释放设计的无限潜能。
- 型号:ZTD09N50DE6QTA
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-26
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
- 描述:TRANS 2NPN DUAL 50V 1A SOT-26
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 晶体管类型:2 NPN(双)
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1A
- 电压 - 集射极击穿(最大值):50V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):270mV @ 50mA,1A
- 电流 - 集电极截止(最大值):10nA
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):200 @ 500mA,2V
- 功率 - 最大值:1.1W
- 频率 - 跃迁:215MHz
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:SOT-23-6
- 供应商器件封装:SOT-26
- ZTD09N50DE6QTA的官网价格:1:$1.56000|3000:$0.41083,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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