ZVN4106FTA

在追求极致能效的电子设计中，您是否曾为寻找一款既能承受足够电压、又能在紧凑空间内稳定工作的MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来的ZVN4106FTA，正是为解决这类挑战而生。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其60V的漏源电压和200mA的连续漏极电流能力，在微小如SOT-23-3的封装内，释放出令人惊喜的可靠性能。它不仅仅是一个开关元件，更是您提升产品稳定性和能效表现的得力助手。

想象一下，在您的便携式设备电源管理模块中，ZVN4106FTA能够高效地执行负载开关任务，确保电池能量被精准分配；在工业控制板的信号隔离或电机驱动辅助电路中，它凭借高达150°C的结温工作能力和稳定的5V/10V驱动电压，从容应对复杂环境。其低至2.5欧姆的导通电阻（在10V Vgs条件下），意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，让您的系统运行更凉爽、更持久。无论是消费电子、通信模块还是汽车电子中的低压侧开关应用，它都能无缝融入，成为电路设计中那个安静却关键的“效率引擎”。

选择ZVN4106FTA，就是选择了一份经过市场验证的可靠性。其“有源”的产品状态和成熟的MOSFET技术，确保了供货的稳定与性能的一致。对于工程师而言，它简化了选型过程明确的参数、广泛的温度适应性（-55°C至150°C）以及表面贴装的便捷性，都能加速您的开发周期。当您需要可靠且高性能的半导体解决方案时，与专业的DIODES芯片代理合作，不仅能确保您获得正品ZVN4106FTA，还能获得及时的技术支持与供应链保障，让创新之路畅通无阻。

• 型号:ZVN4106FTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:35 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• ZVN4106FTA的官网价格：1:$0.95000|3000:$0.22963，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。