ZVN4306GTA

在追求极致能效的电子设计世界里，您是否还在为寻找一款既能承受高压、又能实现高效开关控制的功率器件而烦恼？今天，我们为您带来一个兼具性能与可靠性的卓越解决方案ZVN4306GTA。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其高达60V的漏源电压和2.1A的连续漏极电流，为您的电源管理、电机驱动和负载开关应用注入了强大的核心动力。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升产品性能、优化系统效率的关键拼图。

想象一下，在紧凑的智能家居设备中，需要精准控制一个小型电机的启停；或者在便携式设备的电源路径管理中，要求快速、低损耗地切换电流。ZVN4306GTA正是为此而生。其低至330毫欧的导通电阻（在10V Vgs条件下），意味着在导通状态下产生的热量极少，电能得以高效传输，直接延长了电池续航，并降低了系统的散热需求。无论是消费电子、工业控制模块，还是汽车辅助系统中的低功率负载，它都能游刃有余，确保稳定可靠的运行。

选择ZVN4306GTA，就是选择了一份从容与安心。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）赋予了产品卓越的环境适应性，从酷寒到高温都能稳定工作。采用SOT-223封装，在提供优于SOT-23的散热能力的同时，依然保持了相对紧凑的占板面积，完美平衡了性能与空间。更值得一提的是，其优化的栅极驱动特性（Vgs(th)最大3V），使其能够轻松被微控制器等低压逻辑电路直接驱动，简化了您的电路设计，加速了产品上市进程。如需获取样品或技术支持，我们的合作伙伴专业的DIODES中国代理团队随时准备为您服务。

总而言之，ZVN4306GTA集高耐压、低导通损耗、强驱动兼容性和坚固封装于一身。它不仅仅是一个组件，更是您实现设计创新、打造差异化产品的得力助手。让它成为您下一个成功项目的强大心脏，共同开启高效、可靠的电子新篇章。

• 型号:ZVN4306GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• ZVN4306GTA的官网价格：1:$2.34000|1000:$0.74463，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。