ZVNL120ASTOB

在追求极致能效与可靠性的电子设计中，您是否曾为寻找一款能在高压环境下稳定工作、同时保持出色开关性能的N沟道MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的经典解决方案ZVNL120ASTOB。这款由Diodes Incorporated精心打造的功率器件，以其200V的漏源电压和高达150°C的结温工作能力，为您的设计注入强大的动力与持久的可靠性。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动控制板或是工业自动化设备的保护电路中，ZVNL120ASTOB正默默发挥着关键作用。它那仅需3V至5V的低驱动电压，意味着您可以用更简单的驱动电路实现高效开关，显著降低系统整体功耗与设计复杂度。其紧凑的E-Line（TO-92兼容）通孔封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，更以其经典的封装形式确保了卓越的散热性能和焊接可靠性，让您的产品在严苛环境中也能稳定运行。

选择ZVNL120ASTOB，就是选择了一份经过时间淬炼的安心。尽管它已进入停产状态，但其卓越的性能指标180mA的连续漏极电流、仅10欧姆的低导通电阻以及高达700mW的功率耗散能力使其在存量市场及对长期可靠性有极高要求的应用中依然闪耀着价值。这正是经典器件的魅力所在：性能历久弥坚。为了确保您能获得正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过正规的DIODES授权代理进行采购，这不仅是对产品质量的保障，更是对您项目成功的一份郑重承诺。

• 型号:ZVNL120ASTOB
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 180MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 250mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:85 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
• ZVNL120ASTOB的官网价格：2000:$0.31985，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。