ZXMN10A09KTC

想象一下，当您的电源管理或电机驱动方案需要一颗既可靠又经济的功率开关时，您会如何选择？是牺牲性能来降低成本，还是为追求极致参数而承担高昂的预算？现在，ZXMN10A09KTC的出现，完美地终结了这个两难抉择。它不仅仅是一颗MOSFET，更是Diodes Incorporated为您精心打造的效率与可靠性的平衡大师，旨在为您的设计注入强劲而稳定的动力核心。

这颗N沟道MOSFET拥有100V的漏源电压和5A的连续漏极电流能力，这意味着它能够轻松应对从消费类电源适配器、LED照明驱动，到电动工具、小型风机泵类控制等多种应用场景的严苛要求。其低至85毫欧的导通电阻（在10V Vgs条件下），直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生，让您的设备运行更凉爽、能效比更高，续航和稳定性自然得到显著提升。无论是需要快速开关的DC-DC转换器，还是对空间和散热有要求的紧凑型设备，它都能游刃有余。

选择ZXMN10A09KTC，就是选择了一份安心的保障。它采用成熟的TO-252-3（DPAK）表面贴装封装，不仅便于自动化生产，其良好的散热特性也为长期稳定运行奠定了基础。宽达-55°C至150°C的结温工作范围，确保了它在各种恶劣环境下都能坚如磐石。更令人心动的是，它实现了高性能与高性价比的罕见统一，让您在控制整体BOM成本的同时，毫不妥协地获得出色的电气性能。如果您正在寻找一个值得信赖的供应链伙伴，我们的DIODES中国代理团队随时准备为您提供从选型支持到稳定供货的全方位服务，助您的新产品更快、更稳地推向市场。

• 型号:ZXMN10A09KTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 5A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:85 毫欧 @ 4.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1313 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.15W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• ZXMN10A09KTC的官网价格：1:$2.99000|2500:$0.89917，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。