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ZXMN7A11GQTA供应商
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ZXMN7A11GQTA
- 制造厂商：DIODES（美台半导体）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:SOT-223
- 技术参数：MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T\\u0026
- （专注销售DIODES电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
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ZXMN7A11GQTA参数详情：
- 型号:ZXMN7A11GQTA
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-223
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T\\u0026
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:70 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.7A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 4.4A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.4 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:298 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-223
- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
- ZXMN7A11GQTA的官网价格：1:$1.70000|1000:$0.51628，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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