2DB1188Q-13

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一颗能在高电流下稳定工作、同时保持出色性价比的PNP晶体管而烦恼？今天，我们为您带来一个令人振奋的解决方案2DB1188Q-13。这颗来自Diodes Incorporated的明星产品，集高性能、高可靠性与紧凑设计于一身，正重新定义着中功率开关与放大应用的标准。

想象一下，在您的电源管理模块中，需要一颗晶体管来高效处理高达2A的负载电流，同时承受32V的电压考验。2DB1188Q-13正是为此而生。它极低的Vce饱和压降（仅800mV @ 2A）意味着更少的能量以热量的形式被浪费，直接转化为更长的设备续航时间和更低的系统温升。无论是智能家居中的电机驱动、便携式设备里的电源开关，还是工业控制板上的信号放大，它都能游刃有余，确保系统在-55°C至150°C的严苛温度范围内稳定如初。

选择2DB1188Q-13，就是选择了一份安心的保障与显著的性能提升。其高达120的最小直流电流增益（hFE）确保了出色的信号放大能力，而120MHz的跃迁频率则能满足大多数中高速开关应用的需求。采用表面贴装的SOT89-3封装，它不仅节省了宝贵的PCB空间，更简化了您的生产流程。当您需要可靠、高效的半导体解决方案时，与专业的DIODES芯片代理合作，无疑是获取正品货源与技术支持的明智之选。让2DB1188Q-13成为您下一个成功产品的强大心脏，驱动创新，赢在未来。

• 型号:2DB1188Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-89-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS PNP 32V 2A SOT-89-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 晶体管类型:PNP
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:2 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:32 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:800mV @ 200mA，2A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:120 @ 500mA，3V
• 功率 - 最大值:1 W
• 频率 - 跃迁:120MHz
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-243AA
• 供应商器件封装:SOT-89-3
• 2DB1188Q-13的官网价格：1:$0.70000|2500:$0.16549，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。