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BZT52C39LP-7B

  • 制造厂商:DIODES(美台半导体)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管,封装:X1-DFN1006-2
  • 技术参数:DIODE ZENER 39V 250MW 2DFN
  • (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

BZT52C39LP-7B参数详情:

在追求极致稳定性的电子设计中,您是否曾为电压波动带来的系统不稳定而烦恼?当精密电路需要坚如磐石的电压基准时,一颗可靠的齐纳二极管就是您最值得信赖的守护者。今天,我们向您隆重介绍来自Diodes Incorporated的卓越解决方案BZT52C39LP-7B。这款39V齐纳二极管,以其±5.13%的精准容差和仅130欧姆的低动态阻抗,为您提供稳定、纯净的39V基准电压,有效抑制噪声和浪涌,让您的核心电路始终工作在安全、高效的“舒适区”。

想象一下,在紧凑的便携式设备、精密的传感器模块或高效的电源管理单元中,空间是多么宝贵。BZT52C39LP-7B正是为此而生。它采用微小的0402(1006公制)表面贴装封装,几乎不占用宝贵的PCB面积,却能提供高达250mW的功率处理能力。无论是用于消费电子中的电压箝位,还是工业控制中的过压保护,亦或是汽车电子里的稳压参考,它都能轻松融入,默默守护。其宽广的工作温度范围(-65°C至150°C)确保了从极寒到酷热的严苛环境下,性能依然稳定如一,让您的产品无惧环境挑战,可靠性大幅提升。

选择BZT52C39LP-7B,就是选择了一份安心与高效。它不仅仅是一个元件,更是您提升产品整体稳定性和寿命的战略性投资。极低的反向泄漏电流(100nA @ 27.3V)意味着更低的功耗和更长的电池续航,而900mV @ 10mA的正向压降则保证了其在必要时也能顺畅导通。对于追求卓越品质和快速响应的工程师与采购团队而言,通过值得信赖的DIODES中国代理获取这款有源状态的明星产品,意味着您能获得稳定的货源、专业的技术支持以及高效的供应链服务,从而加速您的产品上市进程,让创新想法更快地转化为市场竞争力。

  • 型号:BZT52C39LP-7B
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:X1-DFN1006-2
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 39V 250MW 2DFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):39 V
  • 容差:±5.13%
  • 功率 - 最大值:250 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):130 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 27.3 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:0402(1006 公制)
  • 供应商器件封装:X1-DFN1006-2
  • BZT52C39LP-7B的官网价格:1:$0.38000|10000:$0.06844,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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