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BZT52C9V1TQ-7-F

  • 制造厂商:DIODES(美台半导体)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管,封装:SOD-523
  • 技术参数:DIODE ZENER 9.1V 300MW SOD523
  • (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

BZT52C9V1TQ-7-F参数详情:

在追求极致稳定性的电路设计中,您是否曾为电压的微小波动而烦恼?当关键信号或电源线路需要一个可靠的9.1V基准点时,一颗性能卓越的齐纳二极管就是您最坚实的后盾。今天,我们向您隆重推荐BZT52C9V1TQ-7-F,这颗来自Diodes Incorporated的精密稳压器件,正是为终结此类不确定性而生。它不仅仅是一个元件,更是您产品可靠性的守护者,以±6.04%的严格容差和仅15欧姆的低动态阻抗,确保电压基准坚如磐石,让您的设计从“能用”跃升为“卓越”。

想象一下,在紧凑的便携式设备内部,空间寸土寸金,而性能要求却丝毫不打折扣。BZT52C9V1TQ-7-F凭借其超小的SOD-523封装,完美解决了这一矛盾。无论是为微处理器内核提供精准的参考电压,还是在通信模块中保护敏感的输入端口免受电压浪涌冲击,它都能游刃有余。其高达150°C的结温工作能力,意味着即使在严苛的工业环境或高速运行的消费电子设备内部,它依然能稳定输出9.1V的“定海神针”,保障系统长时间无故障运行。选择它,就是为您的产品注入一颗强劲而稳定的“心脏”。

那么,在众多齐纳二极管中,为何独独青睐这颗芯片?答案在于它无与伦比的综合价值。300mW的功率处理能力,在同类微型封装中表现出色,提供了充足的性能余量。低至500nA的反向漏电流,意味着它在待机或关断状态下几乎不消耗额外能量,这对于电池供电的物联网设备至关重要。从-65°C到150°C的宽广工作温度范围,让它能从容应对从寒带到热带的任何应用场景。当您通过值得信赖的DIODES代理渠道获取这颗芯片时,您获得的不仅是Diodes原厂的品质保证,更是一份让设计更简单、让产品更可靠、让市场竞争力更强的信心。立即将BZT52C9V1TQ-7-F纳入您的物料清单,开启稳定高效的设计新篇章。

  • 型号:BZT52C9V1TQ-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOD-523
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 9.1V 300MW SOD523
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1 V
  • 容差:±6.04%
  • 功率 - 最大值:300 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 6 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SC-79,SOD-523
  • 供应商器件封装:SOD-523
  • BZT52C9V1TQ-7-F的官网价格:3000:$0.03300,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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