




BZT52HC2V7WF-7
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管,封装:SOD-123F
- 技术参数:DIODE ZENER 2.7V 375MW SOD123F
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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BZT52HC2V7WF-7参数详情:
在追求极致稳定性的电子设计中,您是否曾为瞬态电压的干扰而烦恼?当2.7V的精密电路面临电压尖峰的威胁时,一颗可靠的保护卫士至关重要。今天,我们向您隆重介绍BZT52HC2V7WF-7,这颗来自Diodes Incorporated的精密齐纳二极管,正是为守护您的电路核心而生。它不仅仅是一个元件,更是您产品稳定运行的信心基石,以其卓越的2.7V稳压精度和±7.41%的严格容差,为敏感电路筑起一道坚固的电压防线。
想象一下,在便携式医疗设备的传感器模块中,微弱的生物电信号需要绝对纯净的参考电压;在智能穿戴设备的电源管理路径上,电池电压的微小波动必须被迅速平抑;在工业控制板的逻辑接口处,来自外部的干扰必须被果断钳位。BZT52HC2V7WF-7正是这些关键场景中的隐形英雄。其高达375mW的功率处理能力,配合低至83欧姆的动态阻抗,意味着它不仅能精准地“锁定”2.7V电压,更能以极快的响应速度和强大的吸收能力,将突如其来的能量冲击化为无形,确保后级芯片始终工作在安全区。其宽广的-65°C至150°C工作温度范围,让它无惧严寒酷暑,无论是埋地传感器还是汽车引擎舱附近的控制单元,都能稳定如一。
选择BZT52HC2V7WF-7,就是选择了一份经得起考验的可靠性。它采用紧凑的SOD-123F表面贴装封装,为您节省宝贵的PCB空间,同时其优异的制造工艺确保了批次间的高度一致性。当您需要为2.7V至3V区间的电路寻找电压基准、过压保护或电平钳位方案时,这颗芯片提供了一个性能与成本完美平衡的答案。它的低反向泄漏电流特性,也最大限度地减少了待机功耗,为电池供电设备延长续航贡献了一份力量。要获取这颗性能出众的稳压卫士,您可以咨询专业的DIODES代理商,他们能为您提供从选型支持到稳定供货的全链路服务。让BZT52HC2V7WF-7融入您的下一个设计,它将用毫厘不差的精准和坚如磐石的稳定,为您的产品价值保驾护航。
- 型号:BZT52HC2V7WF-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOD-123F
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- 描述:DIODE ZENER 2.7V 375MW SOD123F
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.7 V
- 容差:±7.41%
- 功率 - 最大值:375 mW
- 阻抗(最大值)(Zzt):83 Ohms
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20 A @ 1 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
- 工作温度:-65°C ~ 150°C
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:SOD-123F
- 供应商器件封装:SOD-123F
- BZT52HC2V7WF-7的官网价格:1:$0.35000|3000:$0.07268,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















