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BZT585B3V9T-7供应商
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BZT585B3V9T-7
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管,封装:SOD-523
- 技术参数:DIODE ZENER 3.9V 350MW SOD523
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
BZT585B3V9T-7参数详情:
在追求极致稳定性的电子设计中,您是否曾为电压波动带来的系统不稳定而烦恼?当精密电路需要一个可靠的电压基准或保护屏障时,BZT585B3V9T-7正是您期待已久的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的精密齐纳二极管,以其±2%的严格容差和3.9V的精准稳压值,为您的设计注入前所未有的确定性。它不仅仅是一个元件,更是您产品可靠性的守护者,确保核心电路在复杂环境中始终获得纯净、稳定的电压供给,让性能表现始终如一。
想象一下,在便携式医疗监测设备中,传感器信号的精准采集容不得半点电压偏差;在智能穿戴设备的电源管理路径上,需要一道坚固的防线来抵御意外的电压尖峰;在工业控制模块的精密逻辑电路中,一个可靠的参考电压是准确决策的基石。BZT585B3V9T-7小巧的SOD-523封装,使其能轻松嵌入这些空间受限的现代电子设备,从消费电子到汽车电子,从通讯模块到物联网终端,它都能默默扮演着“电压锚点”的关键角色。其宽广的-65°C至150°C工作温度范围,更是让它无惧严寒酷暑,适应从户外设备到工业现场的各类严苛环境。
选择BZT585B3V9T-7,就是选择了一份经得起考验的安心。高达350mW的功率处理能力,结合仅90欧姆的低动态阻抗,意味着它在稳压时自身损耗更小,响应更快,能更有效地抑制噪声。极低的反向泄漏电流(仅3A @ 1V)则保障了电路的能效,特别适合电池供电的节能应用。当您需要为项目寻找高品质、高一致性的稳压解决方案时,与可靠的DIODES芯片代理合作,确保您能便捷地获得这颗性能卓越的芯片,无疑是加速产品上市、提升市场竞争力的明智之举。让BZT585B3V9T-7成为您下一个成功设计的稳定基石。
- 型号:BZT585B3V9T-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOD-523
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- 描述:DIODE ZENER 3.9V 350MW SOD523
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.9 V
- 容差:±2%
- 功率 - 最大值:350 mW
- 阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 A @ 1 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 100 mA
- 工作温度:-65°C ~ 150°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:SC-79,SOD-523
- 供应商器件封装:SOD-523
- BZT585B3V9T-7的官网价格:1:$0.22000|3000:$0.04407,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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