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BZT585B9V1T-7供应商
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BZT585B9V1T-7
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管,封装:SOD-523
- 技术参数:DIODE ZENER 9.1V 350MW SOD523
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
BZT585B9V1T-7参数详情:
在追求极致稳定性的电子设计中,您是否曾为电压波动带来的系统风险而困扰?当关键电路需要一个可靠的电压基准或保护屏障时,BZT585B9V1T-7齐纳二极管就是您值得信赖的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的精密器件,以其9.1V的精准稳压能力和±2%的严格容差,为您的设计注入前所未有的确定性。它不仅仅是一个简单的二极管,更是系统稳定运行的守护神,能将不稳定的输入电压牢牢钳位在安全范围,确保后续敏感电路免受冲击,让您的产品在各种复杂环境下都能表现出色。
想象一下,在便携式消费电子、物联网传感器模块或车载信息娱乐系统中,空间极其宝贵,性能却不容妥协。BZT585B9V1T-7正是为此而生。其超紧凑的SOD-523封装,面积微小如尘,却能轻松应对-65°C至150°C的严苛温度考验,无论是炎夏的汽车引擎舱还是寒冬的户外设备,它都能稳定工作。极低的反向泄漏电流(仅500nA @ 6V)意味着更少的功耗浪费,特别适合电池供电的长期续航设备。当您需要为微处理器、ADC基准源或通信接口提供一道坚固的电压防线时,它总能默默无闻地发挥关键作用。
选择BZT585B9V1T-7,就是选择了一份省心与高效。它集高精度、高可靠性、小尺寸于一身,能显著简化您的电路保护设计,减少外围元件数量,从而降低整体BOM成本和PCB占用面积。其10欧姆的最大动态阻抗确保了优异的稳压线性度,而350mW的功率处理能力足以应对多数常规应用场景。为了让您更便捷地获得这颗优质芯片及其全系列支持,我们推荐您通过官方授权的DIODES代理进行采购,不仅能保证原装正品和稳定供货,还能获得专业的技术选型支持。立即采用BZT585B9V1T-7,为您的下一个项目奠定坚如磐石的电压基础!
- 型号:BZT585B9V1T-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOD-523
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- 描述:DIODE ZENER 9.1V 350MW SOD523
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1 V
- 容差:±2%
- 功率 - 最大值:350 mW
- 阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 6 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
- 工作温度:-65°C ~ 150°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:SC-79,SOD-523
- 供应商器件封装:SOD-523
- BZT585B9V1T-7的官网价格:1:$0.22000|3000:$0.04407,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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