




DGD05463FN-7
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器,封装:W-DFN3030-10
- 技术参数:IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10
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DGD05463FN-7参数详情:
在追求极致效率的电源设计中,您是否曾因栅极驱动器的响应速度而限制了系统的整体性能?当开关频率不断提升,每一纳秒的延迟都意味着能量的损耗与性能的瓶颈。现在,这一切将被重新定义。我们隆重推出DGD05463FN-7,一款专为高效、可靠电源转换而生的半桥栅极驱动器,它不仅仅是一个组件,更是您系统动力澎湃的心脏。
想象一下,在您的电机驱动、DC-DC转换器或不间断电源(UPS)中,电流的切换如行云流水般顺畅。DGD05463FN-7凭借其高达2.5A的拉电流和1.5A的灌电流峰值输出能力,能够以惊人的速度(典型上升时间17ns,下降时间12ns)驱动功率MOSFET,彻底消除开关损耗的顾虑。其宽泛的4.5V至14V供电电压范围与高达50V的自举电压,赋予了设计无与伦比的灵活性与鲁棒性,无论面对工业环境的严苛挑战还是消费电子的空间限制,它都能游刃有余。
选择DGD05463FN-7,就是选择了一份从容与自信。它集成了同步通道和半桥驱动配置,简化了您的电路布局,让复杂的电源拓扑设计变得清晰明了。其卓越的CMOS/TTL兼容输入逻辑,确保了与各类控制器的无缝对接。更令人安心的是,它能在-40°C至125°C的广阔温度范围内稳定工作,表面贴装的DFN3030-10超紧凑封装,为您节省每一寸宝贵的PCB空间。当您需要可靠、高性能的栅极驱动解决方案时,信赖来自Diodes Incorporated的这颗明星产品,并通过我们专业的DIODES代理商网络,轻松获取这份卓越的性能保障。
从提升能效到缩小体积,从增强可靠性到简化设计,DGD05463FN-7的价值贯穿于产品生命周期的每一个环节。它不仅仅驱动着MOSFET,更驱动着您的创新,助力您的产品在市场竞争中脱颖而出,赢得先机。立即采用DGD05463FN-7,开启您电源系统的高效新时代。
- 型号:DGD05463FN-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:W-DFN3030-10
- 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:同步
- 驱动器数:2
- 栅极类型:MOSFET(N 沟道)
- 电压 - 供电:4.5V ~ 14V
- 逻辑电压- VIL,VIH:0.8V,2.4V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,2.5A
- 输入类型:CMOS/TTL
- 高压侧电压 - 最大值(自举):50 V
- 上升/下降时间(典型值):17ns,12ns
- 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:10-WFDFN 焊盘
- 供应商器件封装:W-DFN3030-10
- DGD05463FN-7的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















