DMC1030UFDB-13

想象一下，当您的下一代便携式设备需要同时兼顾极致紧凑与强大动力时，什么样的解决方案才能让设计游刃有余？答案就藏在DMC1030UFDB-13这颗精巧的芯片之中。它不仅仅是一个MOSFET阵列，更是工程师应对空间与性能双重挑战的得力助手。凭借其N沟道和P沟道互补型设计，以及高达5.1A的连续漏极电流能力，它能在微小的U-DFN2020-6封装内，为您释放出超越尺寸的能量密度，让产品设计从“将就”走向“讲究”。

无论是需要高效电源管理的智能手机、平板电脑，还是对可靠性要求严苛的汽车电子应用，如ADAS传感器模块、信息娱乐系统或车身控制单元，DMC1030UFDB-13都能完美融入。它符合AEC-Q101车规标准，工作温度横跨-55°C至150°C的严酷范围，这意味着从冰天雪地到炎炎夏日，从日常通勤到复杂路况，其性能始终稳定如一。它让您的产品不仅功能强大，更具备应对真实世界挑战的坚韧品质。

选择DMC1030UFDB-13，就是选择了一种高效的设计哲学。其极低的导通电阻（最低仅34毫欧）和优化的栅极电荷，直接转化为更低的导通损耗和更快的开关速度，这直接提升了系统整体能效，延长了电池续航。在寸土寸金的PCB上，其超小封装为您节省了宝贵空间，让您能集成更多功能或进一步缩小产品体积。当您追求高性能、高可靠性与高集成度的完美平衡时，这颗芯片就是那个关键的拼图。我们作为值得信赖的DIODES授权代理，确保您能获得原厂正品与全面的技术支持，助您将创新构想快速、稳妥地转化为市场领先的产品。

• 型号:DMC1030UFDB-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 12V 5.1A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:12V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.1A（Ta），3.9A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V，59 毫欧 @ 3.6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.2nC @ 4.5V，13nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1003pF @ 6V，1028pF @ 6V
• 功率 - 最大值:1.36W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（B 类）
• DMC1030UFDB-13的官网价格：10000:$0.14553，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。