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DMHC4035LSD-13

  • 制造厂商:DIODES(美台半导体)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列,封装:8-SO
  • 技术参数:MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SO
  • (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

DMHC4035LSD-13参数详情:

想象一下,您的下一个电机驱动或电源转换设计,能否在更小的空间内实现更高的效率和更可靠的控制?这正是DMHC4035LSD-13为您带来的核心价值。作为Diodes Incorporated精心打造的一款集成式H桥MOSFET阵列,它将两个N通道和两个P通道功率管完美整合于紧凑的8-SOIC封装内,为您提供了一站式的40V、4.5A驱动解决方案。这不仅意味着BOM清单的简化,更代表着电路板空间的有效释放和系统整体可靠性的显著提升。

无论是驱动微型直流电机实现精准的转向与调速,还是在便携设备中构建高效的电源路径管理模块,这颗芯片都能游刃有余。其逻辑电平门控特性,让您能够轻松地与3.3V或5V的微控制器直接对话,无需复杂的电平转换电路,大大降低了设计门槛与开发时间。在机器人关节驱动、智能家居百叶窗控制、精密仪器仪表乃至消费电子产品的功率切换单元中,DMHC4035LSD-13都能成为您系统中那个静默而强大的“动力心脏”。选择专业的DIODES芯片代理,您获得的不仅仅是这颗高性能芯片,更是从技术选型到供应链支持的全方位保障。

为何众多工程师在面临紧凑型驱动设计时会倾向于选择它?答案在于其卓越的性能平衡。45毫欧的超低导通电阻,直接转化为更低的导通损耗和发热量,让您的设备运行更凉爽、能效比更出色。高达150°C的结温工作范围,赋予了它应对严苛环境与瞬时过载的强悍底气。同时,预配置的H桥结构消除了分立器件匹配的烦恼,确保了开关时序的一致性,让电机驱动波形更平滑,控制更精准。从原型验证到批量生产,它都能提供稳定一致的性能表现。

归根结底,在追求高集成度、高可靠性与高性价比的今天,DMHC4035LSD-13不仅仅是一个组件,它更是一个经过优化的系统级解决方案。它简化了您的设计流程,压缩了您的物料成本,并最终增强了您终端产品的市场竞争力。当您需要一颗能够肩负起紧凑空间内高效功率控制重任的芯片时,它已经准备就绪,助您将创新想法快速、稳健地转化为现实产品。

  • 型号:DMHC4035LSD-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:8-SO
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SO
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:2 N 和 2 P 沟道(全桥)
  • FET 功能:-
  • 漏源电压(Vdss):40V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A(Ta),3.7A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):45 毫欧 @ 3.9A,10V,65 毫欧 @ 4.2A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):12.5nC @ 10V,11.1nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):574pF @ 20V,587pF @ 20V
  • 功率 - 最大值:1.5W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SO
  • DMHC4035LSD-13的官网价格:1:$1.63000|2500:$0.43992,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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