DMN10H170SVT-7

在追求极致能效的今天，您的电源转换或电机驱动方案是否还在为开关损耗和发热问题所困扰？想象一下，一颗体积微小却拥有100V耐压和2.6A持续电流能力的MOSFET，能为您的设计带来怎样的性能跃升？答案就藏在DMN10H170SVT-7这颗卓越的N沟道功率器件之中。

它绝不仅仅是一个参数表上的零件。当您将它部署在DC-DC转换器中，其低至160毫欧的导通电阻（Rds(on)）意味着更少的能量以热的形式浪费，直接转化为更高的系统效率和更长的电池续航。在电机控制、LED驱动或是负载开关等应用中，其快速的开关特性和仅9.7nC的低栅极电荷，让您的系统响应更迅捷，控制更精准，轻松应对高频开关的严苛要求。无论是紧凑的消费电子产品，还是要求严苛的工业模块，它都能凭借TSOT-26的超小封装，在节省宝贵PCB空间的同时，提供稳定可靠的功率处理能力。

选择DMN10H170SVT-7，就是选择了一份由Diodes Incorporated品质背书的信心。它宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了其在各种环境下的稳定表现，让您的产品无惧挑战。其优化的驱动电压（4.5V/10V）与现代控制器完美匹配，大大简化了您的驱动电路设计。更重要的是，通过与值得信赖的DIODES芯片代理合作，您不仅能获得正品保障和稳定的供货支持，还能获取专业的技术服务，让这颗高性能芯片的价值在您的产品中得到百分百的释放。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、赢得市场的秘密武器。

• 型号:DMN10H170SVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1167 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• DMN10H170SVT-7的官网价格：1:$0.92000|3000:$0.21997，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。