DMN4026SSDQ-13

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为散热、空间和成本而妥协？想象一下，一颗集高效、可靠与小巧于一身的MOSFET，将如何彻底改变您的产品性能。现在，答案就在DMN4026SSDQ-13。这款来自Diodes Incorporated的双N沟道MOSFET，以其卓越的逻辑电平门驱动能力和高达7A的连续漏极电流，正成为工程师们应对严苛设计挑战的秘密武器。

无论是需要高效同步整流的DC-DC转换器，还是对空间极其敏感的便携式设备中的负载开关，DMN4026SSDQ-13都能游刃有余。其仅24毫欧的超低导通电阻（在6A, 10V条件下），意味着更少的能量以热量的形式被浪费，让您的系统运行更凉爽、续航更持久。在电机驱动、电池保护电路或是高密度电源模块中，它都能确保稳定、高效的功率切换，将40V的漏源电压和宽广的-55°C至150°C工作结温范围转化为实实在在的可靠性保障。

选择DMN4026SSDQ-13，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET阵列，更是选择了一种面向未来的设计思路。它采用标准的8-SOIC封装，在提供强大性能的同时，极大节省了宝贵的PCB空间。其优化的栅极电荷（典型值19.1nC @ 10V）和输入电容，确保了快速的开关速度，进一步提升了整体系统效率。当您需要稳定可靠的货源与专业的技术支持时，我们的DIODES一级代理身份确保了您能获得原厂正品与全方位的服务，让您的产品从设计到量产一路畅通。让DMN4026SSDQ-13成为您下一个成功产品的强大心脏，开启高效、紧凑的电源管理新纪元。

• 型号:DMN4026SSDQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.1nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060pF @ 20V
• 功率 - 最大值:1.3W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMN4026SSDQ-13的官网价格：1:$0.83000|2500:$0.38543，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。