DMP2021UTS-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一个仅1.3W的功率耗散，却能在高达150°C的结温下稳定输出18A电流的解决方案，这不仅仅是参数的提升，更是设计自由度的飞跃。这正是DMP2021UTS-13为您带来的核心价值用更小的体积和更低的损耗，释放更大的能量。

无论是紧凑型笔记本电脑的电池保护电路，还是便携式电动工具的高效电机驱动，甚至是高密度服务器电源中的负载开关，这颗P通道MOSFET都能游刃有余。其20V的漏源电压和低至16毫欧的导通电阻，意味着在4.5V驱动下，它能以极低的压降和温升处理大电流，直接转化为更长的电池续航、更快的响应速度和更可靠的系统运行。在-55°C到150°C的宽广工作温度范围内，它都能保持性能稳定，让您的产品从容应对各种严苛环境。

选择DMP2021UTS-13，就是选择一种经过验证的可靠性与卓越性能的平衡。它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升产品竞争力的关键组件。其8-TSSOP的表面贴装封装，专为现代高密度PCB设计而生，帮助您节省宝贵的板级空间。当您需要将如此精密的性能转化为实际产品时，确保供应链的可靠与正宗至关重要。我们作为官方授权的DIODES授权代理，不仅保证您获得原厂正品，更能提供专业的技术支持和稳定的供货保障，让您的创新之旅毫无后顾之忧。立即采用DMP2021UTS-13，为您的下一个设计注入高效与可靠的基因。

• 型号:DMP2021UTS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-TSSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 18A 8TSSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 4.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:59 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2760 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-TSSOP
• 封装/外壳:8-TSSOP（0.173\\
• DMP2021UTS-13的官网价格：1:$1.30000|2500:$0.33636，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。