DMP3036SSS-13

在追求极致能效的今天，您是否还在为电源管理方案中的开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一个关键开关元件，能在瞬间以极低的导通电阻承载近20A的电流，同时将自身功耗降至最低，这不仅仅是参数的提升，更是系统整体性能和可靠性的飞跃。现在，这一切由DMP3036SSS-13为您实现。

这款来自Diodes Incorporated的P沟道MOSFET，以其30V的漏源电压和高达19.5A的连续漏极电流能力，天生就是为高效电源路径管理和负载开关而设计的明星。其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动电压下，仅20毫欧的Rds(on)值，意味着电流通过时产生的热量微乎其微，直接转化为更低的系统温升和更高的能源转换效率。无论是为便携设备快速充电，还是在服务器电源中精准分配电能，它都能确保能量以最“顺畅”的方式流动，减少无谓的浪费。

它的价值在众多应用场景中闪闪发光。在最新的智能手机快充模块里，它作为关键的负载开关，能够安全、高效地管理大电流通断，让用户享受“充电五分钟，通话两小时”的畅快体验。在无人机和电动工具的高密度电池管理系统中，其卓越的电流处理能力和紧凑的8-SO封装，帮助工程师在有限空间内构建出更强大、更持久的动力核心。甚至在汽车电子领域，如LED照明驱动或车载信息娱乐系统的电源保护电路中，其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）和稳定的性能，提供了应对严苛环境的可靠保障。选择它，就是为您的产品注入了高效与稳定的基因。

那么，为何众多领先企业将DMP3036SSS-13作为首选？答案在于它带来的综合价值优势。它不仅参数亮眼，更在易用性上深思熟虑：5V的逻辑电平驱动让它可以轻松被微控制器直接驱动，简化了电路设计；低至16.5nC的栅极电荷确保了超快的开关速度，进一步提升系统响应频率和效率。这意味着您可以用更少的外围元件、更简单的设计，获得更优异的性能，从而加速产品上市周期并降低整体BOM成本。当您需要可靠、高性能的MOSFET解决方案时，与值得信赖的DIODES一级代理合作，确保您能获得正品货源与全面的技术支持，让创新之路畅通无阻。这不仅仅是一颗晶体管，更是您提升产品竞争力、赢得市场的强大助力。

• 型号:DMP3036SSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 19.5A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1931 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMP3036SSS-13的官网价格：1:$1.23000|2500:$0.31654，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。