DMT6010LSS-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一个能显著降低导通电阻、提升整体效率的MOSFET，将如何为您的产品注入强劲动力。这正是DMT6010LSS-13为您带来的核心价值。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其卓越的8毫欧超低导通电阻（在20A，10V条件下），直接转化为更低的功率损耗和更少的热量产生，让您的系统运行更凉爽、更持久，效率提升触手可及。

无论是需要高效DC-DC转换的服务器电源，还是对空间和热管理极为苛刻的便携式设备，或是要求高可靠性的汽车辅助系统与工业电机驱动，DMT6010LSS-13都能游刃有余。其60V的漏源电压和14A的连续漏极电流能力，为各种中压、中电流应用场景提供了坚实的保障。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在严苛环境下依然稳定可靠，让您的设计无惧温度挑战，从容应对全球市场。

选择DMT6010LSS-13，就是选择了一份经过验证的性能承诺。它不仅参数亮眼，更以紧凑的8-SO表面贴装封装，帮助您优化PCB布局，节省宝贵空间。更低的栅极电荷和输入电容意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于提升高频开关电源的效率至关重要。当您寻求可靠且高性能的半导体解决方案时，与专业的DIODES代理合作，能确保您获得正品货源与全面的技术支持。让DMT6010LSS-13成为您下一个成功产品的“高效心脏”，开启能效新纪元。

• 型号:DMT6010LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 14A 8SO T\\u0026R 2
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2090 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMT6010LSS-13的官网价格：1:$2.05000|2500:$0.57407，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。