DMTH3004LFGQ-13

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为开关损耗和散热问题而困扰？想象一下，当您的电源转换系统能够在更低的导通电阻下运行，不仅意味着更少的能量浪费，更代表着更小的散热需求和更高的整体可靠性。这正是DMTH3004LFGQ-13为您带来的核心价值一款专为严苛应用而生的N沟道功率MOSFET，它将卓越的电气性能与坚固的物理封装完美结合，旨在成为您下一代高效设计的基石。

无论是汽车引擎控制单元中需要承受剧烈温度波动的负载开关，还是服务器电源里要求极高功率密度的DC-DC转换器，甚至是便携式设备中空间极其有限的电池保护电路，DMTH3004LFGQ-13都能游刃有余。其30V的漏源电压和高达15A（Ta）/75A（Tc）的连续漏极电流能力，为中等电压、大电流应用提供了充足的余量。更令人印象深刻的是，在10V驱动电压下，其导通电阻低至惊人的5.5毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。当您与专业的DIODES代理商合作时，您获得的不仅是一颗芯片，更是从选型到量产的全方位技术支持。

选择DMTH3004LFGQ-13，就是选择了一份从容与自信。它隶属于通过AEC-Q101认证的汽车级产品系列，这意味着它经历了远超工业标准的严格测试，能够在-55°C至175°C的结温范围内稳定工作，无惧极端环境的挑战。PowerDI3333-8封装在提供卓越散热性能（Tc下功率耗散高达50W）的同时，保持了紧凑的表面贴装尺寸，让您的PCB布局更加灵活。较低的栅极电荷（44nC）和输入电容，使得开关速度更快，驱动电路的设计得以简化，从而让您的产品在性能和成本之间找到最佳平衡点。当效率、可靠性和空间都成为关键考量时，DMTH3004LFGQ-13无疑是您不容错过的明智之选。

• 型号:DMTH3004LFGQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 15A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Ta），75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMTH3004LFGQ-13的官网价格：3000:$0.47216，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。