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MMBZ5258BS-7-F供应商
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MMBZ5258BS-7-F
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 齐纳二极管阵列,封装:SOT-363
- 技术参数:DIODE ZENER ARRAY 36V SOT-363
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
MMBZ5258BS-7-F参数详情:
在追求极致稳定性的电子设计中,您是否曾为瞬态电压的侵扰而烦恼?当精密电路遭遇意外电压尖峰,一个可靠的保护方案就是决定产品成败的关键。今天,我们向您隆重介绍一款来自Diodes Incorporated的电压守护专家MMBZ5258BS-7-F。这颗36V齐纳二极管阵列,以其卓越的±5%精度和高达200mW的功率处理能力,为您的设计筑起一道坚固的防线。它不仅仅是一个元件,更是您产品可靠性和耐用性的承诺,让每一次电压波动都变得有惊无险。
想象一下,在便携式消费电子、工业控制模块或汽车电子系统中,空间何其宝贵,性能要求又何其严苛。MMBZ5258BS-7-F正是为此而生。其精巧的SOT-363封装,在指甲盖大小的面积内集成了两个独立的36V齐纳二极管,完美实现双通道电压箝位或参考。无论是保护敏感的微处理器I/O端口,还是为ADC提供稳定的参考电压,它都能轻松胜任。其宽广的-65°C至150°C工作温度范围,意味着它既能从容应对北极的严寒,也能无惧赤道附近引擎舱内的高温,确保您的设备在全球任何角落都稳定如初。
选择MMBZ5258BS-7-F,就是选择了一份安心与高效。其70欧姆的最大动态阻抗,意味着在规定的电流范围内,它能提供更“陡峭”、更稳定的电压箝位特性,将多余的电压能量迅速导走。极低的反向泄漏电流(仅100nA @ 27V)和正向压降(900mV @ 10mA),则最大限度地减少了自身的功耗,为追求长续航和低功耗的设计添砖加瓦。这颗芯片的价值,在于它用微小的身躯,承载起保护整个系统核心的重任,将潜在的风险和售后成本降至最低。要获得这份源自Diodes原厂的品质保证,请务必通过正规的DIODES授权代理进行采购,确保您拿到的是百分百正品,享受完整的技术支持与供应链保障。
- 型号:MMBZ5258BS-7-F
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-363
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 齐纳二极管阵列
- 描述:DIODE ZENER ARRAY 36V SOT-363
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 配置:2 个独立式
- 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):36 V
- 容差:±5%
- 功率 - 最大值:200 mW
- 阻抗(最大值)(Zzt):70 Ohms
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 27 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
- 工作温度:-65°C ~ 150°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商器件封装:SOT-363
- MMBZ5258BS-7-F的官网价格:1:$0.42000|3000:$0.09039,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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