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SBR30A100CTE-G供应商
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SBR30A100CTE-G
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列,封装:TO-262
- 技术参数:DIODE ARRAY SBR 100V 15A TO-262
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
SBR30A100CTE-G参数详情:
在追求极致能效的电力转换设计中,您是否还在为传统肖特基二极管的高温损耗和反向恢复问题而困扰?现在,让我们向您介绍一款能够彻底改变游戏规则的解决方案SBR30A100CTE-G。这款来自Diodes Incorporated的超级势垒整流器(SBR),以其突破性的低正向压降(仅800mV @ 15A)和高达100V的反向电压,为您带来前所未有的高效率与可靠性。它不仅是一颗二极管,更是您提升产品竞争力、降低系统热管理的秘密武器。
想象一下,在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或电动汽车充电桩等严苛的应用场景中,能量转换的每一个百分点都至关重要。SBR30A100CTE-G正是为此而生。其独特的超级势垒技术,有效融合了肖特基二极管低开启电压和PN结二极管高反向击穿电压的优点,在15A的持续工作电流下依然保持冷静,结温工作范围宽达-65°C至175°C,确保您的设备在极端环境下也能稳定运行。这意味着更小的散热器、更紧凑的布局,以及最终更低的系统总成本。
选择SBR30A100CTE-G,就是选择了一份安心与卓越。其标准恢复速度与极低的反向泄漏电流(仅100A @ 100V),显著减少了开关损耗和待机功耗,让您的产品能效轻松超越行业标准。TO-262AA的表面贴装封装,为自动化生产提供了便利,提升了制造效率。当您需要可靠、高性能的整流解决方案时,通过值得信赖的DIODES代理获取这颗芯片,无疑是通往成功设计最稳健的路径。让它成为您下一个爆款产品的核心动力,开启高效、可靠的电能转换新纪元。
- 型号:SBR30A100CTE-G
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:TO-262
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
- 描述:DIODE ARRAY SBR 100V 15A TO-262
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 二极管配置:1 对共阴极
- 技术:超级势垒
- 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V
- 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):15A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 15 A
- 速度:标准恢复 \>500ns,\> 200mA(Io)
- 反向恢复时间 (trr):-
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 A @ 100 V
- 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
- 供应商器件封装:TO-262
- SBR30A100CTE-G的官网价格:50:$1.24000,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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