




SBRT4U60LP-7
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管,封装:U-DFN3030-8
- 技术参数:DIODE SBR 60V 4A U-DFN3030-8
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SBRT4U60LP-7参数详情:
在追求极致能效的今天,您的电源设计是否还在为整流二极管的功耗和发热问题所困扰?想象一下,如果有一种解决方案,能将正向压降带来的能量损耗大幅降低,让您的设备运行更凉爽、续航更持久,这将是多大的突破?现在,这一切已成为现实。我们隆重向您介绍SBRT4U60LP-7,一款采用革命性超级势垒整流(SBR)技术的60V/4A整流二极管,它将重新定义您对高效整流的认知。
这款芯片的核心魅力在于其超低的正向压降在4A的满载电流下,正向压降(Vf)仅为520mV。这意味着与传统肖特基或快恢复二极管相比,它在导通时产生的功耗和热量显著减少。更少的能量以热能形式浪费,直接转化为更高的系统效率和更低的温升。无论是对于依赖电池供电的便携设备,还是对散热要求严苛的紧凑型设计,这种效率的提升都至关重要。它让您的产品在激烈的市场竞争中,凭借更长的运行时间或更小的散热器设计脱颖而出。
当我们将目光投向实际应用,SBRT4U60LP-7的身影几乎无处不在。在DC-DC转换器的输出整流环节,它的高效能直接提升整个电源模块的转换效率;在车载充电器、USB PD快充适配器中,它有助于实现更高的功率密度和更可靠的温控;在工业自动化设备的电源板、通信基站的二次电源中,其60V的反向耐压和稳定的性能提供了坚实的保障。它完美适配表面贴装工艺,U-DFN3030-8的超紧凑封装,让工程师能在寸土寸金的PCB上实现更灵活、更精简的布局。
那么,在众多整流方案中,为何要坚定不移地选择SBRT4U60LP-7?答案在于它实现了性能、可靠性与成本的绝佳平衡。它不仅拥有卓越的电气参数,其标准恢复速度也足以应对大多数开关电源应用,同时将反向漏电流控制在极低的150A@60V水平。选择它,就是选择了一种经过市场验证的、能切实提升终端产品竞争力的可靠技术。若您正在寻找稳定可靠的供货渠道与技术支持,我们的DIODES中国代理团队随时准备为您提供从选型到量产的全方位服务。立即采用SBRT4U60LP-7,为您的高效能源设计注入强大芯动力,开启能效新纪元。
- 型号:SBRT4U60LP-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:U-DFN3030-8
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
- 描述:DIODE SBR 60V 4A U-DFN3030-8
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 技术:超级势垒
- 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V
- 电流 - 平均整流 (Io):4A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):520 mV @ 4 A
- 速度:标准恢复 \>500ns,\> 200mA(Io)
- 反向恢复时间 (trr):-
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150 A @ 60 V
- 不同Vr、F 时电容:180pF @ 5V,1MHz
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-PowerUDFN
- 供应商器件封装:U-DFN3030-8
- 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C
- SBRT4U60LP-7的官网价格:3000:$0.23643,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















