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ZDT6705TA
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列,封装:SM8
- 技术参数:TRANS NPN/PNP DARL 120V 1A SM8
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ZDT6705TA参数详情:
在追求极致能效与可靠性的电子设计中,您是否曾为高压驱动电路中的复杂分立方案而烦恼?现在,一个集高性能与高集成度于一体的解决方案已经到来ZDT6705TA。这颗来自Diodes Incorporated的达林顿晶体管阵列,以其高达120V的击穿电压和1A的驱动能力,为您的高压应用场景注入强劲而稳定的动力核心,让设计难题迎刃而解。
想象一下,在工业自动化控制板、电机驱动模块或是需要稳定高压开关的电源管理单元中,ZDT6705TA正发挥着它的核心价值。它集成了NPN与PNP双达林顿管于一个紧凑的SOT-223-8封装内,不仅节省了宝贵的PCB空间,更通过高达2000倍的电流增益,让您的微控制器或逻辑芯片能够以极小的控制电流,轻松驱动大电流负载。这意味着,无论是驱动继电器、螺线管、步进电机,还是作为高边/低边开关,它都能确保快速响应与高效的能量转换,显著提升整个系统的响应速度与可靠性。
选择ZDT6705TA,就是选择了一份经得起考验的稳健。其宽泛的工作温度范围(-55°C至150°C)确保了它在严苛的工业或汽车环境下依然稳定运行。极低的饱和压降(最大1.5V)意味着更少的能量以热的形式耗散,提升了整体能效,让您的产品在能效竞赛中脱颖而出。虽然该型号已进入停产状态,但通过可靠的DIODES一级代理渠道,您依然可以获取经过严格质量把控的库存,为现有产品的长期维护和特定高端应用提供持续、可靠的供应保障。这不仅仅是一颗晶体管,更是您构建坚固、高效、紧凑型高压驱动方案的信心基石。
- 型号:ZDT6705TA
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SM8
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
- 描述:TRANS NPN/PNP DARL 120V 1A SM8
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 晶体管类型:1 NPN,1 PNP 达林顿(双通道)
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1A
- 电压 - 集射极击穿(最大值):120V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):1.5V @ 1mA,1A
- 电流 - 集电极截止(最大值):10A
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):2000 @ 1A,5V
- 功率 - 最大值:2.75W
- 频率 - 跃迁:150MHz
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:SOT-223-8
- 供应商器件封装:SM8
- ZDT6705TA的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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